SiC Выпрямители

STMicroelectronics 'быстрые диоды Шоттки со структурой карбида кремния

Переключение STMicroelectronics на основе диодов Шоттки с карбидно-кремниевой структурой позволяет разработчикам достичь более высокого уровня эффективности и удельной мощности. Номинальные значения тока от 2 А до 40 А, семейства SiC-диодов ST 650 В и 1200 В включают в себя как специализированные, так и автомобильные устройства AEC-Q101, предназначенные для автомобильной промышленности, для поверхностного монтажа DPAK HV (высоковольтный) и D²PAK, или сквозные. отверстия TO-220AC и TO-247LL (длинный свинец).

Ассортимент ST диодов JBS (Junction Barrier Schottky) с карбидом кремния (SiC) 1200 В отвечает потребностям дизайнеров в превосходной эффективности, малом весе, небольших размерах и улучшенных тепловых характеристиках для приложений, ориентированных на производительность.

Предлагая отличное прямое напряжение (низкий V_F) и современную надежность, SiC-диоды ST 1200 В обеспечивают дополнительную свободу для достижения высокой эффективности и надежности при более низком номинальном токе и, следовательно, более низкой стоимости при снижении рабочей температуры и продлении срока службы. Они обеспечивают идеальную посадку в каждом преобразователе и инверторе с переключаемым режимом, где необходима предельная плотность мощности и КПД, таких как SMPS, ИБП, солнечные и моторные приводы.

Номинальный ток от 2 А до 40 А, семейство диодов SiC 1200 В ST компании ST включает в себя как специализированные, так и автомобильные устройства AEC-Q101, предназначенные для поверхностного монтажа DPAK HV (высоковольтный) и D²PAK или сквозного ТО Пакеты -220AC и TO-247LL (длинный свинец).

1200 В SiC ST позволяет достичь высоких стандартов и малого форм-фактора.